意法半导体申请用于制造具有室的微机电器件的工艺以及微机电器件,将第一室流体地耦合到外部:机电制造

金融界2025年6月17日消息,国家知识信息显示,意法半导体国际公司申请一项名为“用于制造具有室的微机电器件的工艺以及微机电器件”的,公开号CN120157083A,申请日期为2024年12月机电制造

摘要显示,本公开的实施例涉及用于制造具有室的微机电器件的工艺以及微机电器件机电制造 。用于制造微机电器件的工艺包括:在第一半导体晶片的衬底上形成介电层和结构层,以及在结构层中形成第一微机电器件和第二微机电器件。第一微机电器件和第二微机电器件被分别密封在第一室和处于第一压力的第二室中。第一室借助衬底被流体地耦合到外部环境,并且被密封处于与第一压力不同的第二压力。为了将第一室流体地耦合到外部,在介电层与结构层之间形成停止层,并且在介电层中形成与第一室流体地耦合的腔。沟道通过在与腔和停止层相对应的位置中蚀刻衬底而被形成,并且衬底的蚀刻抵靠停止层结束。

来源:金融界

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